MOS管，全稱金屬-氧化物半導體場效應電晶體（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），是一種常見的半導體器件。以下是其詳細介紹：
類型。MOS管主要有兩種類型，N溝道和P溝道，這兩種類型又可以分為增強型和耗盡型，增強型是指在沒有施加柵極電壓時，器件內部沒有導電溝道，而耗盡型則是在沒有施加柵極電壓時，器件內部已經存在導電溝道。
構造。MOS管的構造基於一塊P型半導體矽襯底，上面製造了兩個高摻雜濃度的N+區，並用金屬鋁引出兩個電極作為漏極(D)和源極(S)，在漏極和源極之間的P型半導體表面覆蓋一層薄二氧化矽（SiO2）絕緣層，然後再這個絕緣層上裝上一個鋁電極作為柵極(G)，這樣就構成了一個基本的MOS管。
原理。MOS管的工作原理是基於電壓控制電流的概念，通過改變柵極電壓來控制漏極和源極之間的導電溝道，從而控制電流的流通，當柵極電壓為0時，如果沒有外加電壓，由於閾值電壓的存在，不會有電流流過；當柵極施加正電壓時，會在絕緣層下方感應出電子，形成導電溝道，從而允許電流流過。
套用。MOS管在電路中有著廣泛的套用，可以作為開關使用來控制電路的導通或截止；用於信號的放大和傳輸；作為電源管理的一部分，用於控制電源的開關和調節電壓；以及作為穩壓器和電源逆變器的一部分，以確保電路的穩定運行。