二次電子是當高能電子或光子轟擊物體表面時，使原本束縛在原子核附近的電子被釋放出來並從表面彈射走的現象。
這些被釋放的電子具有較低的能量（通常低於50電子伏特）且主要來自被轟擊物體表面的5到10納米深度範圍內，由於它們來自表面的淺層區域，二次電子對樣品表面的形貌非常敏感，能有效顯示樣品表面的微觀形貌。二次電子的產生機制主要包括反衝效應和俘獲效應，反衝效應是指高能電子與原子核或電子碰撞時，遵循能量和動量守恆原則而將電子彈出；俘獲效應則是指原初入射電子與原子/分子相互作用，被束縛於原子/分子中形成激發態，隨後通過躍遷釋放出二次電子。在電子顯微鏡、半導體器件和有機發光二極管等應用中，二次電子的產生和檢測對於理解和分析這些材料的行爲至關重要。