精密的微細加工技術
光刻技術是一種精密的微細加工技術，主要用於半導體晶片表面的圖案化。它涉及以下主要步驟：
曝光：使用特殊波長的光線（通常是紫外光）通過掩膜版照射到塗有光刻膠的基片表面，引起曝光區域的光刻膠發生化學反應。
顯影：通過顯影技術溶解去除曝光區域或未曝光區域的光刻膠，從而將掩膜版上的圖形複製到光刻膠薄膜上。
刻蝕：利用化學或物理方法去除抗蝕劑薄層未掩蔽的部分，最終在晶片表面或介質層上獲得與抗蝕劑薄層圖形完全一致的圖形。
光刻技術是半導體制造中的關鍵工藝之一，它不僅用於製造集成電路中的線路和功能區，而且對於實現納米級精度和複雜設計至關重要。目前市場上主流的光刻技術包括193nm沉浸式光刻技術等。
綜上所述，光刻技術是一種通過光學、化學和物理方法將設計圖案轉移到半導體晶片上的精密技術，對於現代電子和信息技術的發展具有重要意義。