多數載流子（多子）是半導體物理中的一個基本概念，是指在半導體材料中占主導地位並對導電起主要作用的電荷載體。
在半導體中，有兩種類型的載流子：電子和空穴。電子是帶負電的，而空穴則是由於缺少電子而形成的帶正電的區域。在N型半導體中，電子是多數載流子，因為這種半導體是通過向矽或鍺晶體中添加如磷或砷等五價元素形成的，這些元素替代了晶格中的矽或鍺原子，從而產生額外的自由電子；P型半導體中，空穴是多數載流子，因為這種半導體是通過向矽或鍺晶體中添加如硼等三價元素形成的，這些元素替代了晶格中的矽或鍺原子，從而在價帶中產生空穴。
多數載流子的濃度主要受半導體材料的摻雜濃度影響，受溫度影響較小。