天線效應是在芯片生產過程中，由於導體（如暴露的金屬線或多晶硅）收集電荷（例如，等離子刻蝕產生的帶電粒子）而導致電位升高的現象。
這種效應特別發生在導體長度較長時，因爲它們能夠收集更多的電荷，導致電壓升高。如果這些導體恰好只連接到MOS晶體管的柵極，那麼高電壓可能會擊穿薄的柵氧化層，從而導致電路失效。隨着工藝技術的發展，由於柵極尺寸的減小和金屬層數的增加，發生天線效應的可能性也隨之增大。
天線效應不僅影響芯片的成品率，還可能降低其可靠性，因此必須在設計和工藝過程中加以考慮和改進。在實際設計中，採取的措施包括在連線上插入反向偏置的二極管以放電積累的電荷，或在長連線上加入緩衝器以縮短其長度。