耗散功率是指在特定條件下，電晶體或其他電子器件由於電阻引起的能量損失。
這種損失的能量必須通過適當的方式散發出去，以避免設備過熱。耗散功率與電晶體的最高允許結溫、集電極最大電流以及散熱條件和工作環境溫度有密切關係。例如，矽管的結溫允許值大約為150攝氏度，而鍺管的結溫允許值大約為85攝氏度。在實際使用中，電晶體的實際功耗不應超過其最大允許耗散功率(PCM)，否則可能會因過載而損壞。增加散熱片或改善風冷條件可以提高耗散功率。耗散功率的計算線上性條件下相對簡單，可以通過I²R或U²/R的公式進行計算，而在開關狀態下則相對複雜。