隧道擊穿，也稱為齊納擊穿，是一種在強電場作用下發生的擊穿現象。具體來說，當PN結受到反向偏壓時，如果電場強度足夠高，電子和空穴可以從價帶通過隧道效應穿過禁帶進入導帶，形成電流。這種現象發生在耗盡區非常薄且電場強度超過一定閾值（如300kV/cm）時。隧道擊穿的特點是擊穿電壓較低，且擊穿電壓與半導體材料的禁頻寬度呈線性關係。隧道擊穿通常發生在擊穿電壓小於5V的情況下，並且這種擊穿機制在重摻雜的PN結中更為常見。隧道擊穿與雪崩擊穿和熱電擊穿一樣，是PN結擊穿的三種主要機理之一。如果隧道擊穿發生後立即降低反向電壓，PN結的性能有可能恢復；否則，PN結可能會遭到永久性破壞。隧道擊穿是製造穩壓二極體等器件的基礎。