半導體器件
雪崩二極體是一種半導體器件，它利用了半導體結構中載流子的碰撞電離效應。
這種器件在反向偏壓超過一定閾值時進入雪崩擊穿狀態，此時載流子被加速並通過撞擊周圍原子釋放出更多載流子，形成連鎖反應，產生大量載流子。雪崩二極體具有單向導電性，正向電阻較小，反向電阻較大。它分為不同類型，包括用於微波套用的IMPATT二極體和用於雷射通信的雪崩光電二極體。
IMPATT二極體利用碰撞雪崩和渡越時間效應，能夠在微波頻率範圍內產生高功率輸出，而雪崩光電二極體則用於光通信中，通過增強光電流來實現高靈敏度檢測。