MOS管，全稱金屬-氧化物-半導體場效應電晶體(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)，通常被稱為MOSFET。
MOS管是一種半導體器件，主要用作電子電路中的開關或放大器。其基本結構是在一塊P型半導體矽襯底上，通過光刻和擴散工藝製造兩個高摻雜濃度的N+區，形成漏極和源極，然後在漏極和源極之間的P型半導體表面覆蓋一層薄二氧化矽絕緣層，上面再製造一個鋁電極作為柵極。MOS管有兩種主要類型：N溝道和P溝道，這兩種類型又可以分為增強型和耗盡型。
在MOS管中，柵極與半導體之間通過絕緣層隔離，通過改變柵極上的電壓可以控制半導體表面的電子流動，從而實現開關或放大功能。當在柵極和源極之間施加電壓時，會在半導體表面形成導電通道，允許電流流動；而當電壓被移除時，導電通道消失，電流停止流動。
MOS管因其低功耗、高輸入阻抗、長壽命等優點而被廣泛套用於各種電子設備中。