碳化矽
碳化矽(SiC)是一種由矽(Si)和碳(C)組成的無機化合物，屬於寬頻隙(WBG)系列材料。
碳化矽具有極強的結合力和熱、化學、機械穩定性，其能隙大約在3.26eV左右。碳化矽在高溫環境下表現出色，具有高硬度、耐腐蝕性、耐磨性和優異的導熱性能。碳化矽的這些特性使其成為製造耐高壓、耐高溫功率器件和微波射頻器件的理想材料。碳化矽器件如肖特基二極體和FET/MOSFET電晶體，廣泛套用於轉換器、逆變器、電源、電池充電器和電機控制系統等電源套用中。碳化矽被認為是21世紀最有前途的材料之一，有望在半導體材料領域發揮重要作用。