庫侖阻塞效應是一種物理現象，主要描述在納米尺度下，電子在通過小型體系（如金屬或半導體粒子）時的傳輸行為。當體系的尺寸減小到納米級別時，其電容變得非常小，通常在10^-16法拉（F）的量級。在這種情況下，每個額外的電子進入這個體系都會引起系統能量的顯著增加，這種現象稱為庫侖阻塞。
具體來說，當一個電子隧穿進入體系時，它會阻止後續電子的進入，直到某個電子離開體系。這是因為額外的電子會增加系統的總能量，從而形成一個勢壘阻止進一步的電子傳輸。這種現象允許電子逐個隧穿進出體系，實現單電子的傳輸。
庫侖阻塞效應在20世紀80年代被廣泛研究和認識，它是介觀物理學中的一個重要發現。它不僅對基礎物理研究有著重要意義，還在納米電子學和單電子電晶體等套用中有著潛在的套用價值。