晶粒取向角是描述多晶體中不同晶粒之間取向差異的角度參數，它對材料的力學行為有著重要影響。根據搜尋結果，我們可以總結出晶粒取向角對位錯形成和運動的影響如下：
位錯形成：
當晶粒取向角小於16度時，晶粒樣品在晶界處形成的位錯排列可以遵循小角度位錯排列規律。
晶粒取向角大於16度時，位錯數量增多且排列複雜，不再適用於小角度位錯排列規律。
位錯運動：
在低溫條件下，隨著晶粒取向角的增加，位錯分離的形式會從每次2組位錯發生分離湮滅過渡到每次單組位錯發生分離湮滅。例如，當晶粒取向角為28度時，晶界在位錯的攀移過程中呈現「鋸齒」狀。
高溫條件下，位錯運動更加迅速且複雜。例如，晶粒取向角為8度時，位錯不會立即滑移至晶粒內部湮滅，而是先與未發生分離的位錯發生反應。而16度時，部分位錯滑移至晶粒內部湮滅，另一部分在晶界處重新生成位錯後再分離湮滅。
能量變化：
隨著位錯不斷發生分離和湮滅的過程，晶粒樣品的晶粒取向角減小，體系總自由能降低。
綜上所述，晶粒取向角對材料的位錯行為有顯著影響，不僅決定了位錯的形成和運動方式，還與材料的能量狀態密切相關。這些信息對於理解多晶體材料的力學行為和設計具有特定性能的材料具有重要意義。