無機化合物
氮化鎵(GaN)是一種無機化合物，化學式爲GaN，即氮和鎵的化合物。
氮化鎵是一種直接能隙的半導體，其能隙較寬，約爲3.4電子伏特。這種材料結構類似纖鋅礦，具有很高的硬度和熔點。由於其寬的直接帶隙、強的原子鍵、高的熱導率和化學穩定性，氮化鎵在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應用方面具有廣闊的前景。
氮化鎵的應用包括髮光二極管、紫光激光二極管等高功率、高速的光電元件。此外，氮化鎵在射頻和微波電子器件中也有出色的性能，例如5G通信系統中的射頻功率放大器。因其優秀的電學性能，氮化鎵也可用於製造磁性材料、磁性薄膜和磁性線圈。