直接帶隙

直接帶隙(Direct Bandgap)是指半導體材料中，導帶的最低能量(導帶底)與價帶的最高能量(價帶頂)在k空間中處於同一位置，即電子從價帶躍遷到導帶時，只需要吸收能量，而不需要改變動量。這種躍遷方式又稱為直接躍遷，對應的半導體材料稱為直接禁帶半導體。

直接帶隙半導體具有高吸收率和高放電效率，因為光子躍遷的能量大部分會被吸收和利用，適合於光電子設備的使用，如LED和雷射器等。