真空蒸鍍的原理是在高真空度的環境下,通過電阻、電子束、激光等方法加熱鍍膜材料,使其蒸發或昇華,氣化爲原子、分子或原子團等形態。
這些氣態粒子具有一定的能量(約0.1~0.3電子伏特),在無碰撞或極少碰撞的條件下直線運動到達基片表面。到達基片的粒子部分被反射,部分吸附在基片上,並通過表面擴散形成二維島狀結構,這些島狀結構逐漸聚集、合併,最終形成連續的薄膜。整個過程包括蒸發、輸送、吸附和薄膜形成四個階段。
真空蒸鍍的原理是在高真空度的環境下,通過電阻、電子束、激光等方法加熱鍍膜材料,使其蒸發或昇華,氣化爲原子、分子或原子團等形態。
這些氣態粒子具有一定的能量(約0.1~0.3電子伏特),在無碰撞或極少碰撞的條件下直線運動到達基片表面。到達基片的粒子部分被反射,部分吸附在基片上,並通過表面擴散形成二維島狀結構,這些島狀結構逐漸聚集、合併,最終形成連續的薄膜。整個過程包括蒸發、輸送、吸附和薄膜形成四個階段。