矽製程，即矽材料的製造工藝流程，主要包括以下幾個步驟：
矽的純化。矽的純化是製造高純度矽的關鍵步驟，常用的方法有西門子法和區熔法。西門子法（SiCL4鋅還原法）涉及將矽粉與HCL在液態化床上反應形成三氯氫矽(TCS)，然後通過分餾達到超純狀態，再用H2通過化學沉澱(CVD)法還原成多晶矽。區熔法則是利用矽中的雜質分凝現象，通過高頻線圈環繞矽單晶棒加熱，使局部熔化後重新結晶，從而提高矽的純度。
多晶矽基片的製備。多晶矽基片的生產方法主要有鑄造型和矽帶型。鑄錠多晶矽是通過將熔化的矽錠經過定向凝結獲得，而矽帶型則通過特定方法減少切割損失。
單晶矽的生長。單晶矽的生長包括直拉法（CZ法）和區熔法（FZ法）。直拉法是在高溫下將多晶矽熔化，然後插入籽晶進行熔接，同時轉動籽晶並緩慢向上提升，經過引晶、放大、轉肩、等徑生長、收尾等過程得到單晶矽。區熔法則是在半導體棒的一端產生一熔區，然後調節溫度使熔區緩慢地向另一端移動，通過整根棒料，生長成一根單晶。
這些步驟共同構成了矽製程的核心，是製造半導體器件如積體電路、太陽能電池等的基礎。