化合物半導體材料
砷化鎵是一種重要的化合物半導體材料，化學式爲GaAs，屬於Ⅲ-Ⅴ族化合物，具有亮灰色的外觀和金屬光澤。
砷化鎵具有高電子遷移率、高飽和漂移速度等特性，其電學和光學性能優異，特別是相比於傳統的硅材料，砷化鎵的電子遷移率大約是硅的5.7倍。這些特性使得砷化鎵在高頻、高速、大功率、低噪聲的集成電路領域有廣泛應用，是光電子和微電子工業的重要支撐材料。砷化鎵還應用於製造激光器（LD）、發光二極管（LED）、光電集成電路（OEIC）、光伏器件等。
此外，由於其優越的電子和光學性能，砷化鎵在軍事電子、光纖通信系統、寬帶衛星無線通信系統、測試儀器、汽車電子、激光、照明等領域也有重要應用。