絕緣柵雙極型晶體管
變頻器中的IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)是一種複合全控型電壓驅動式功率半導體器件。
IGBT由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成,結合了兩者優點,具有高輸入阻抗和低導通壓降特性。IGBT在變頻器、電磁爐、交流電機、開關電源等設備中扮演着重要角色,是能源變換與傳輸核心器件,被視爲電力電子裝置“CPU”。
在變頻器中,IGBT的作用是將直流電逆變成頻率可調交流電,以控制電機轉速。
絕緣柵雙極型晶體管
變頻器中的IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)是一種複合全控型電壓驅動式功率半導體器件。
IGBT由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成,結合了兩者優點,具有高輸入阻抗和低導通壓降特性。IGBT在變頻器、電磁爐、交流電機、開關電源等設備中扮演着重要角色,是能源變換與傳輸核心器件,被視爲電力電子裝置“CPU”。
在變頻器中,IGBT的作用是將直流電逆變成頻率可調交流電,以控制電機轉速。