麥克斯韋的電磁定律包括四個基本原則，它們是：
高斯定律：描述了電場中電荷與電場線之間的關係。如果一個閉合曲面內的電荷總量為Q，那麼穿過這個曲面的電通量Φ與Q成正比，比例係數為真空電容率（絕對介電常數）ε_0。這意味著，只要閉合曲面記憶體在淨餘電荷，穿過它的電場線數量就不會為零。
磁場的高斯定律：描述了磁場中電荷與磁感線之間的關係。在磁場中，由於不存在磁單極子，穿過任何閉合曲面（包括空間中任意閉合曲面）的磁通量總是為零，表明磁場是無源場。
法拉第電磁感應定律：描述了磁場變化產生電動勢（或稱為「磁生電」）的現象。這個定律最初是基於觀察的實驗定律，後來被麥克斯韋的電磁場理論所解釋。
麥克斯韋-安培定律：將安培的環路定理推廣到包括電流和電荷的情況，描述了電流和電荷產生磁場的方式。這個定律表明，電流和電荷在產生磁場的同事，也受到磁場的作用力。
這些定律共同構成了電磁學的基礎，解釋了電場、磁場和電磁波的性質和相互作用。麥克斯韋的電磁定律是現代物理學的重要組成部分，廣泛套用於電磁學、電子學和通信技術等領域。