DMOS（Double-diffused MOSFET）是一種金屬氧化物半導體場效應電晶體，其工作原理主要基於控制柵極和源極之間的電壓來控制溝道的導通狀態。當在柵極施加驅動電壓時，溝道發生反型，即形成N型或P型導電溝道，使得電流可以從漏極通過溝道流向源極，此時DMOS管處於導通狀態。當柵極沒有驅動電壓時，溝道關斷，DMOS管承受輸入電壓或其值的幾倍，類似於一個開關。
DMOS器件的性能直接決定了晶片的驅動能力和晶片面積。對於LDMOS器件，一個重要的考察參數是導通電阻（RDS(on)），它是指在器件工作時，從漏到源的電阻。導通電阻越小，器件的開關特性越好，因為較小的導通電阻意味著較大的輸出電流，從而具有更強的驅動能力。
近年來，具有超結結構的DMOS器件成為一種重要的功率器件。這種器件通過在漂移區中引入p柱和n柱的超結結構，打破了常規器件中漂移區的比導通電阻與耐壓間的2.5次方的關係，從而在高壓套用的情況下，大大降低了器件的導通電阻，提高了高壓功率器件的轉化效率，是電力電子領域理想的功率開關器件。