高頻寬存儲器
HBM（High Bandwidth Memory，高頻寬存儲器）是一種基於3D堆疊工藝的高性能DRAM（動態隨機存取存儲器）。
HBM專門設計用於滿足高存儲器頻寬需求的套用場景，例如圖形處理器、網路交換和轉發設備（如路由器、交換機）等。其通過使用先進的封裝方法（如矽通孔技術）將多個DRAM垂直堆疊起來，然後緊湊而快速地連線至CPU或GPU，使得記憶體設備靠近處理器，從而利用本地數據的低延遲，在極低的頻率和更少的能耗下提供遠超常規記憶體的頻寬。
HBM成為了JEDEC於2013年10月通過的工業標準，隨後，HBM2於2016年1月也成為工業標準。首個使用HBM的設備是AMD Radeon Fury系列顯示核心，而NVIDIA的Tesla P100、AMD的Radeon RX Vega系列、Intel的Knight Landing等產品也採用了HBM2技術。