IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型電晶體）是一種複合型功率半導體器件，它結合了MOSFET（金屬-氧化物半導體場效應電晶體）和雙極型電晶體（BJT）的優點。在IGBT中，MOSFET作為輸入級，提供低驅動電流和快速開關的特性；而PNP電晶體作為輸出級，提供低導通電阻和高壓大電流的能力。
IGBT的工作原理可以簡述如下：
當IGBT的柵極和發射極之間施加正向電壓時，MOSFET導通，使得PNP電晶體的基極與發射極之間形成低阻狀態，從而導通電晶體。此時，IGBT可以作為導線使用。
當柵極和發射極之間的電壓為0V或施加反向電壓時，MOSFET截止，切斷PNP電晶體的基極電流供給，使電晶體截止，此時IGBT可以作為開路使用。
IGBT的優點包括：
較低的導通壓降（VCE(sat)）
模組化的設計，適用於高壓大電流套用
高速開關特性，工作頻率可達幾十kHz
由於其優異的特性，IGBT被廣泛套用於直流電壓為600V及以上的變流系統，如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。