絕緣柵雙極電晶體
IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor（絕緣柵雙極電晶體）的縮寫，是一種複合型結構器件。可以理解為BJT（雙極型三極體）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的複合全控型電壓驅動式功率半導體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。
IGBT主要用於放大器以及一些通過脈衝寬度調製 (PWM) 切換或處理複雜的波形，適用於多種電子設備中的高效快速開關場景。它是能量轉換與傳輸的核心器件，廣泛套用於軌道交通、智慧型電網、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領域。