LDMOS（Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor，橫向擴散金屬氧化物半導體）的工作原理可以概括如下：
無柵極電壓時：當沒有施加柵極電壓，溝道處於耗盡狀態，此時沒有載流子流動。
施加正柵極電壓：當施加正的柵極電壓，會在溝道中形成一個電場，這個電場吸引電子從襯底中注入溝道。
溝道導電：電子的注入使得溝道導電，電流從源極流向漏極。
柵極電壓調節：增加柵極電壓會增加注入的電子數量，從而增加電流；減少柵極電壓會減少注入的電子數量，從而減少電流。
零柵極電壓：當柵極電壓為零時，溝道再次處於耗盡狀態，此時沒有載流子流動。
以上描述基於LDMOS的基本工作原理，它是一種用於功率電子套用的電晶體技術。