LDMOS（Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor），即橫向擴散金屬氧化物半導體，是一種常用於微波/射頻電路的半導體器件。它是在高濃度摻雜矽基底的外延層上製造的，使用晶體矽作為半導體材料，並採用熱氧化的二氧化矽層作為柵極絕緣體。LDMOS的工作原理基於PN結和場效應電晶體的結合，其特點包括：
耐壓區形成：通過雙重擴散PN結的擴散區域，LDMOS形成了一個耐壓區，這使得器件在關斷狀態下能夠承受較高的電壓而不會發生擊穿，適合於高壓套用。
低電阻狀態：LDMOS的擴散區域是沿著電晶體表面橫向擴散的，這種結構在導通狀態下提供了更低的電阻，從而在功率放大器和射頻套用中表現出色。
高輸出功率和柵源擊穿電壓：由於其結構特點，LDMOS能夠滿足高輸出功率和柵源擊穿電壓大於60伏的要求，特別適合用於製作基站的射頻功率放大器。
改進的柵極絕緣體：為了克服柵極電流洩漏引起的功耗增加，LDMOS可能採用高κ電介質代替二氧化矽作為柵極絕緣體，並且多晶矽被金屬柵極取代，以進一步提高器件的性能和可靠性。
綜上所述，LDMOS通過其獨特的結構和材料選擇，實現了在射頻和微波套用中的高性能表現，特別是在需要高耐壓和低電阻的套用場景中。