MOCVD（金屬有機化合物氣相沉積法）是一種在半導體行業中廣泛使用的技術，用於生長各種III-V族、II-VI族化合物半導體及其多元固溶體薄層單晶材料。
MOCVD的原理如下：
使用金屬有機化合物（MO源）和氫化物作為晶體生長源材料，這些材料在高溫條件下分解，並與襯底表面發生反應，從而形成薄膜。
在生長過程中，源材料在載氣的攜帶下到達加熱的生長區域，在那裡發生熱分解反應，生成的原子在襯底表面擴散並與其他原子結合，形成具有特定光電性能的晶體材料。
MOCVD技術允許精確控制材料組分，通過調整MO源和其他反應氣體的流量和比例，可以生長出具有特定電子特性的材料。
MOCVD系統通常包括氣體輸送系統、反應室、加熱系統等，其中反應室是MOCVD系統的核心部分，用於容納生長過程。
通過這種方式，MOCVD技術能夠在原子級別上控制材料的組成和結構，從而適用於製造高性能的半導體器件和光電材料。