MOSFET（金屬-氧化物-半導體場效應電晶體）的工作原理可以概括為以下幾點：
結構：MOSFET由源極（S）、漏極（D）和柵極（G）組成，其中柵極與源極和漏極之間隔著一層二氧化矽（SiO2），形成了絕緣層。
類型：
耗盡型：當柵極電壓為零時，漏源極之間就存在導電溝道。
增強型：對於N(P)溝道器件，柵極電壓大於(小於)零時才存在導電溝道。常見的MOSFET主要是N溝道增強型。
工作原理：
截止狀態：當柵源極間電壓為零時，P基區與N漂移區之間形成的PN結反偏，漏源極間相當於兩個背靠背的二極體，不會有電流流過。
導通狀態：當在柵極加上電壓超過閾值VGS(th)時，會在源極和漏極之間形成電子溝道，此時由於漏極加有正電壓，就可以形成從漏極到源極的電流，MOS管導通。
特點：
驅動電路簡單，需要的驅動功率小。
開關速度快，工作頻率高。
熱穩定性優於GTR（晶閘管）。
電流容量小，耐壓低，適用於功率不超過10kW的電力電子裝置。
以上是對MOSFET原理的簡要概述，具體的物理過程和電氣特性可以通過更深入的學習和理解。