NOR Flash是一種非易失性快閃記憶體技術，它的特點是存儲單元是並行排列的，定址單位是位元組。NOR Flash的每個存儲單元類似於一個標準MOSFET，具有兩個閘極而不是一個。在讀取數據時，通過控制閘（CG）和浮閘（FG）之間的電荷來改變MOSFET通道的閥電壓（VT），從而讀取或寫入數據。NOR Flash的邏輯單元在默認狀態下代表二進制碼中的"1"值，可以通過施加高電壓到CG來設定單元為"0"值，實現抹寫操作。現代NOR Flash晶片通常被分為若乾抹除片段，抹除操作以這些區塊為基礎進行，而寫入操作可以單獨位元組進行。