RCA清洗法是一種在半導體行業中廣泛使用的濕式化學清洗技術，主要用於清除晶圓表面的污染物和有機物，同時不會對晶圓表面造成損傷。該方法包括幾種不同的清洗液和步驟，具體如下：
SPM（H2SO4/H2O2）。在120至150℃下使用，SPM具有強氧化能力，可將金屬氧化並溶於清洗液中，同時將有機物氧化成二氧化碳和水。這種清洗液能有效去除矽片表面的重金屬和嚴重有機污染，但如果有機物污染特別嚴重，可能會導致有機物碳化，難以去除。
DHF（稀釋氫氟酸）。在20至25℃下使用，DHF能夠去除矽片表面的自然氧化膜，從而去除附著在自然氧化膜上的金屬，如鋁、鐵、鋅、鎳等。
APM（SC-1，NH4OH/H2O2/H2O）。在30至80℃下使用，APM通過腐蝕矽片表面的自然氧化層和矽片表面的Si，使附著在矽片表面的顆粒落入清洗液中，從而達到去除顆粒的目的。
HPM（SC-2，HCl/H2O2/H2O）。在65至85℃下使用，HPM用於去除矽片表面的鈉、鐵、鎂等金屬沾污。
RCA清洗的基本步驟包括使用正己烷去除油污，使用含有濃硝酸、濃硫酸和去離子水的溶液去除有機和無機污垢，並進行表面活化，最後使用去離子水進行沖洗。這種方法的主要優勢包括顯著的清洗效果、廣泛的適用範圍、高自動化程度、精確的控制能力以及環保節能特性。