RRAM（Resistive Random Access Memory，阻變式隨機存取存儲器）的工作原理主要基於材料在電場作用下的電阻變化。具體來說，RRAM材料在自然狀態下表現為絕緣體，阻止電子流動。通過施加電壓，可以在材料中形成一個低阻態的路徑，使電子能夠流動。這個低阻態路徑的形成和消失，可以存儲二進制信息，即高阻態（HRS）代表二進制中的「0」，而低阻態（LRS）代表二進制中的「1」。
在技術細節上，RRAM分為兩種主要類型：OxRAM（基於氧空位的RRAM）和CBRAM（導電橋RAM）。這兩種類型的RRAM都基於filamentary mechanism（細絲機制），即在兩端施加電壓時，中間層中出現空缺（如氧原子或金屬原子空缺），形成細絲。這些細絲使得電子能夠通過隧穿效應從一個電極到達另一個電極，從而形成低阻態。當施加反向電壓時，這些細絲可以斷裂，使器件回到高阻態。
RRAM的主要優勢包括更小的面積、更快的存取速度和極低的功耗，使其成為一種有前途的非易失性存儲技術。