絕緣柵雙極型電晶體
IGBT，即絕緣柵雙極型電晶體(Insulated Gate Bipolar Transistor)，是一種複合全控型電壓驅動式功率半導體器件。
IGBT綜合了MOSFET（絕緣柵型場效應管）的高輸入阻抗和GTR（雙極型三極體）的低導通壓降的優點。IGBT的額定電壓範圍通常在400V至2000V之間，額定電流範圍在5A至1000A之間，使其非常適合套用於高電壓、大電流的場合。IGBT被廣泛套用於工業自動化、電力轉換系統、電動汽車、牽引傳動、變頻器、開關電源、照明電路等領域。此外，IGBT模組通常是將IGBT晶片與續流二極體晶片通過特定電路橋接並封裝而成的模組化產品，具有節能、安裝維修方便、散熱穩定等特點。