刷新週期的計算取決於所選用的刷新策略，即集中式刷新、分散式刷新或異步式刷新。以下是三種刷新策略的詳細解釋：
集中式刷新。在這種方式中，所有存儲單元在規定的時間內集中一段時間逐行進行刷新，這段時間內，內存只用於刷新，阻塞一切存取操作。例如，如果存儲器的存取週期是0.5us，刷新週期爲2ms，那麼集中刷新共需0.5us×64=32us（假設是64×64的矩陣），這段時間內不進行讀寫操作。
分散式刷新。在這種方式中，每行存儲單元的刷新分散到每個存取週期內完成。例如，對於64×64的矩陣，如果存取週期是0.5us，則每行的刷新時間也是0.5us，這種方式沒有死時間，但速度較慢。
異步式刷新。結合了前兩種方式的優點，既縮短了“死時間”，又充分利用了最大的刷新時間間隔。在這種方式中，每一行的刷新間隔在2ms以內，例如，對於64×64的矩陣，每行刷新的時間仍爲0.5us，但刷新一行只停止一箇存取週期。
對於SDRAM等動態內存，刷新週期通常在64ms左右，具體取決於內存的大小和系統要求。每個內存芯片或模塊通常有一箇特定的刷新速率，以確保其可靠運行。