由半導體材料形成的薄膜
半導體薄膜是一種由半導體材料形成的薄膜，具有特定的電學性質和應用範圍。
半導體薄膜的禁帶寬度通常小於2eV，這使得它們在室溫下具有不同的電導率。它們的應用範圍有限，主要用於製備源/漏極的溝道區、單晶外延層和MOS柵極等。半導體薄膜的製備技術包括脈衝激光沉積（PLD）、化學氣相沉積（CVD）、飛秒激光微納加工技術等。這些技術可以在光纖、透明介電材料與非線性光學晶體上製備各種微納光學器件。
此外，半導體薄膜的特性和性能可以通過多種方式進行調整和優化，如通過摻雜不同的氣體或使用不同的靶材來改變其電學性質或結構。