碳化硅在室溫下具有半導體材料的性質,具有一定的導電性能。
碳化硅的導電性能可以通過摻雜其他元素(如氮、硼、鋁和磷等)或採用金屬塗層等方式得到改善,使其在高溫、高電場、高壓等條件下具有良好的導電性能,碳化硅的導電性能會隨着溫度的升高而提高,在高溫環境下表現出色。然而,其導電性能相比於金屬材料仍然較差。
碳化硅在室溫下具有半導體材料的性質,具有一定的導電性能。
碳化硅的導電性能可以通過摻雜其他元素(如氮、硼、鋁和磷等)或採用金屬塗層等方式得到改善,使其在高溫、高電場、高壓等條件下具有良好的導電性能,碳化硅的導電性能會隨着溫度的升高而提高,在高溫環境下表現出色。然而,其導電性能相比於金屬材料仍然較差。