IDDQ（Idle Current at Power Quiescence）測試是一種用於檢測積體電路（IC）中存在的缺陷的測試方法，特別是在CMOS電路中。其基本原理是檢測IC在靜態時從電源獲取的電流，即漏電流（Leakage current）。在正常情況下，CMOS電路的靜態電流非常小（nA級），但如果電路存在缺陷，如柵氧短路或金屬線短接，靜態電流會顯著增加。通過比較實際測量的電流與預期的正常電流，如果發現電流超常，則可能意味著電路存在缺陷。
IDDQ測試主要用於檢測固定型故障和橋接故障等缺陷。這種方法在CMOS工藝中特別有效，因為CMOS電路具有低功耗的優點，靜態條件下由洩漏電流引起的功耗可以忽略，僅在轉換期間電路從電源消耗較大的電流。
IDDQ測試並不能代替功能測試，它通常作為輔助性測試，用於在功能測試之後進一步驗證電路的可靠性。