IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型電晶體）是一種常用的功率半導體器件，它結合了MOSFET（金屬-氧化物半導體場效應電晶體）和BJT（雙極型電晶體）的優點。IGBT的工作原理可以簡要概述如下：
柵極控制。IGBT通過控制柵極（G）和發射極（E）之間的電壓來開關。當在柵極和發射極之間加上正電壓時，MOSFET部分導通，形成溝道，使得PNP電晶體的基極與發射極之間形成低阻狀態，從而導通電流。相反，如果柵極和發射極之間的電壓為0V，MOSFET截止，切斷了PNP電晶體的基極電流供給，使電晶體截止。
特殊結構。IGBT的特殊結構包括一個N溝道MOSFET和一個PNP電晶體。MOSFET部分負責快速開關，而PNP電晶體部分則提供了低導通電阻的特性。這種結構使得IGBT既具有MOSFET的高輸入阻抗和快速開關速度，又具有BJT的低導通電阻。
綜上所述，IGBT通過其獨特的結構和柵極電壓控制，實現了快速開關和低導通電阻的特性，廣泛套用於電力電子系統中。