PMOS（P型金屬-氧化物-半導體）電晶體的工作原理可以通過以下幾個方面來理解：
載流子類型。PMOS電晶體中的載流子是空穴，而不是NMOS電晶體中的電子。
導通條件。為了導通PMOS電晶體，需要在其柵極（G極）施加一個較低的電壓，使其低於源極（S極）的電壓。當G極電壓比S極低時，可以在源極和漏極（D極）之間建立一個導電溝道，從而使電流能夠流動。
開關速度。由於PMOS電晶體中的載流子是空穴，其開關速度相對於NMOS電晶體來說較慢。
閾值電壓。PMOS電晶體的閾值電壓（即電晶體導通所需的最小電壓）通常高於NMOS電晶體。這意味著，對於給定的電源電壓，PMOS電晶體可能需要更高的電壓來完全導通。
邏輯擺幅和速度。由於PMOS電晶體的充電和放電過程較長，其邏輯擺幅較大，但工作速度較低。這些特性使得PMOS電晶體在高速數字電路中不如NMOS電晶體那麼有效。
套用。儘管PMOS電晶體的性能特點使其在高速電路中不是首選，但它們在某些套用中仍然很有用，如中和小規模數字控制電路，因為它們工藝簡單且成本低。
總的來說，PMOS電晶體通過控制柵極電壓來調節源極和漏極之間的導電溝道，從而實現其開關功能。然而，由於其載流子類型和較高的閾值電壓，PMOS電晶體在性能上與NMOS電晶體有所不同。