RCA清洗原理主要涉及使用不同的清洗液來去除半導體晶片表面的顆粒、金屬和有機物質。具體包括：
SC1清洗液。這是一種鹼性溶液，主要成分是雙氧水和氫氧化銨。雙氧水作為強氧化劑，可以氧化碳化矽表面的顆粒，使部分顆粒直接分解。氫氧化銨的鹼性可以幫助輕微腐蝕氧化矽，使顆粒與碳化矽表面分離，並在晶片表面和顆粒上集聚負電荷，利用相互排斥的原理將顆粒從矽片表面脫離。
SC2清洗液。這是一種酸性溶液，主要成分是雙氧水和鹽酸。它通過使晶片表面的金屬形成可溶鹽而被去除。雙氧水可以氧化金屬，而鹽酸則與金屬離子生成可溶性氯化物，從而溶解金屬。
SPM清洗液。這種清洗液由硫酸、過氧化氫和水組成，主要用於去除矽片表面的有機物和某些金屬污染。在高溫下，SPM具有強氧化能力，能將金屬氧化並溶解。
DHF清洗液。稀釋的氫氟酸，用於去除晶片表面的自然氧化膜，同時溶解吸附在氧化膜上的微粒和金屬離子。DHF可以有效去除矽片表面的自然氧化膜，從而帶走附著在上面的金屬和顆粒污染。
通過這些清洗液的組合使用，RCA清洗法可以有效去除半導體晶片表面的顆粒、金屬和有機物質，為晶片的進一步加工提供清潔表面。