SEM（掃描電子顯微鏡）照片分析是一種用於觀察和分析材料表面微觀形貌和元素分布的技術。SEM圖像通常分為兩種類型：
二次電子像（SEI）：
主要反映樣品的表面微觀形貌，與自然光觀察的形貌基本一致。
亮區域表示高原子序數元素，暗區域表示低原子序數元素。
適用於觀察金屬和非金屬材料的表面形貌，如裂紋、夾雜物、氣孔等缺陷。
背散射電子像（BEI）：
主要反映樣品表面的元素分布情況，亮區域表示高原子序數元素。
缺乏細節，不如二次電子像清晰，但能快速得出元素的定性分布概念。
對於未腐蝕的光滑表面或導電性差的試樣，背散射電子像的觀察優於二次電子像。
SEM的解析度和放大倍數是衡量其性能的重要指標。解析度通常為3nm~6nm，但在日常工作條件下，使用普通試樣照相時，能實現6nm解析度已相當不易。在3萬倍放大倍數下，對陶瓷、礦物等普通樣品照相能得到清晰的照片。高放大倍數下，雖然能觀察到更多細節，但取樣面積很小，缺乏代表性。
SEM在失效分析中具有廣泛套用，可以觀察到玻璃珠的分布、尺寸和粘結情況，以及材料中的缺陷和雜質。例如，在觀察金屬材料的斷裂失效時，可以通過SEM和能譜分析（EDS）來分析金屬和非金屬夾雜物、結晶偏析等缺陷。
綜上所述，SEM照片分析是一種多用途的技術，能夠提供材料表面的微觀形貌和元素分布信息，對於材料科學、失效分析等領域具有重要價值。