矽材料（silicon）是一種重要的半導體材料，具有以下特性：
矽是周期表中第Ⅳ族元素，在地殼中主要以二氧化矽和矽酸鹽形式存在，其豐度約為27.7%，僅次於氧。
矽的原子量為28.05，在25℃下密度為2.329g/cm³，具有灰色金屬光澤，較脆，硬度為6.5莫氏，熔點為1410℃。
常溫下，矽表面覆蓋一層極薄的氧化層，化學性質不活潑。高溫下，矽可與氧反應生成無定形二氧化矽層，矽不溶於酸，但溶於硝酸和氫氟酸的混合溶液中。矽還稍溶於加熱的鹼溶液中，也可以通過等離子腐蝕技術來腐蝕矽。
矽是製造半導體器件的重要材料，包括矽多晶、矽單晶、矽片、矽外延片、非晶矽薄膜等。
矽單晶的介電係數為11.7，對光具有高的折射率（n=3.42），反射損失較大。矽中的雜質會引起光的吸收，氧和碳的吸收帶在室溫下分別位於1107和607cm-1處。
矽材料的製備通常涉及將矽石（SiO2）在高溫下還原為冶金級矽，然後經過提純以製備高純度的矽多晶。高完整性的矽單晶通常通過直拉法或區熔法由矽多晶製得。直拉矽主要用於積體電路和電晶體，而區熔矽主要用於製作電力電子元件。
此外，有機矽塑膠（silicone）是一種以矽樹脂為主要成分的塑膠，與矽材料不同，它主要用於耐高低溫、絕緣以及防水防潮等套用，如飛機、火箭製造工業的填充材料或絕緣材料，以及電子組件中的耐高溫材料等。