高帶寬存儲器
HBM全稱爲High Bandwidth Memory，中文意思是“高帶寬存儲器”。
HBM是一種基於3D堆疊工藝的高性能DRAM，由超微半導體和SK Hynix發起。其將多箇DRAM芯片垂直堆疊，並通過硅通孔(TSV)技術連接，形成三維結構的存儲產品。這種設計允許在有限的面積內增加內存容量和帶寬，從而提升性能。HBM主要適用於高存儲器帶寬需求的應用場合，如圖形處理器、網上交換及轉發設備（例如路由器、交換器）等。首個使用HBM的設備是AMD Radeon Fury系列顯示核心。隨着技術的發展，HBM已成爲現代高端FPGA的一箇重要標誌和組成部分，尤其是在對帶寬要求越來越高的應用中。