內存時序（Memory timings或RAM timings）是描述同步動態隨機存取存儲器（SDRAM）性能的四個主要參數，即CL（CAS Latency）、TRCD（RAS to CAS Delay）、TRP（RAS Precharge Time）和TRAS（RAS Active Time），單位通常是時鐘週期。
這四個參數定義了內存模塊在接收CPU的讀寫命令後，完成這些操作所需的時間順序和延遲。例如，CL是內存列地址訪問的延遲時間，TRCD是從行地址傳輸到列地址的延遲時間，TRP是內存行地址選通脈衝預充電時間，而TRAS是行地址激活的時間。這些參數共同影響了內存的性能，通常以納秒（ns）爲單位表示。較低的數值通常意味着更快的性能。在實際應用中，這些參數通常以一串用破折號分隔的數字形式給出，如16-18-18-38，有時還會包括第五個參數Command rate（命令速率），表示爲2T或1T。
簡單來說，內存時序就是內存在進行讀寫操作時遇到的固有延遲的數值描述，這一系列操作所需的時間週期就是內存時序，它影響了內存的反應速度和整體性能。