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混晶共沉澱

混晶共沉澱是一種化學現象,其中雜質離子在沉澱過程中占據晶體中的某些位置並進入沉澱內部,有時這些雜質離子不是占據正常的晶格點位,而是進入晶格的空隙中,形成固溶體。

這種現象通常發生在構成晶體的離子半徑相近,且所構成晶體的結構與沉澱類似的情況下。在沉澱過程中,微量組分可以占據常量組分的晶格位置或晶格空穴,並與常量組分共同沉澱。例如,在BaSO4-RaSO4混晶體系中,微量組分Ra2+可以取代一部分Ba2+的位置。

混晶共沉澱的形成條件取決於離子之間的相對大小及溶解度。一般來說,只要滿足微量組分所形成的沉澱比常量組分的沉澱更難溶,微量組分就能以顯著的量進入常量組分的沉澱中。混晶共沉澱時,微量組分在常量組分沉澱中的分配服從不同的定律,即均勻分配定律和對數分配定律。實現均勻分配的條件是緩慢地沉澱並連續長時間攪拌,使整個體系最終達到熱力學平衡。