化學氣相沉積（Chemical Vapor Deposition，簡稱CVD）是一種利用氣態或蒸汽態物質在氣相或氣固界面上發生反應生成固態沉積物的過程。CVD方法可以根據反應條件和用途進行分類，主要包括以下幾種：
常壓CVD（Atmospheric Pressure CVD，APCVD）。在大約1大氣壓的壓力下進行，通常通過溫度來調節反應速率，適用於對溫度精度要求不高的場合。
低壓CVD（Low Pressure CVD，LPCVD）。在27至270帕的壓力下進行，反應溫度較低，適用於對溫度精度要求較高的場合。
光誘導CVD（Photoinduced CVD，PICVD）。通過入射光的作用誘導化學反應成膜。
等離子增強CVD（Plasma Enhanced CVD，PECVD）。通過電磁場（如直流、交流、射頻等）促使反應氣體電離，從而高速成膜。
金屬有機化合物氣相澱積方法（Metal-organic CVD，MOCVD）。採用金屬有機化合物氣相源的CVD方法，適用於製備結構精細的多層金屬或半導體膜。
CVD技術廣泛套用於半導體薄膜材料的製備、金屬塗層的形成以及石墨烯等新型材料的合成，具有廣泛的套用前景。以上是CVD方法的一些基本介紹，希望對你有所幫助。