石墨烯場效應晶體管
GFET,即石墨烯場效應晶體管(Graphene Field Effect Transistor),是一種三端器件,其結構包括源極、漏極和頂柵或背柵。與傳統的場效應晶體管相似,GFET在源極和漏極金屬電極之間擁有一箇薄的石墨烯通道,這個通道的厚度通常只有幾十微米。石墨烯的特殊材料屬性使得GFET在電子學領域具有潛在的應用價值。
石墨烯場效應晶體管
GFET,即石墨烯場效應晶體管(Graphene Field Effect Transistor),是一種三端器件,其結構包括源極、漏極和頂柵或背柵。與傳統的場效應晶體管相似,GFET在源極和漏極金屬電極之間擁有一箇薄的石墨烯通道,這個通道的厚度通常只有幾十微米。石墨烯的特殊材料屬性使得GFET在電子學領域具有潛在的應用價值。