新型半導體材料
IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide,銦鎵鋅氧化物)是一種新型半導體材料。
IGZO通常用作高性能薄膜電晶體(TFT)的溝道材料,具有高電子遷移率的特性,這使得器件能夠處理更多的信息,從而實現高解析度和低功耗的顯示面板。IGZO技術相比於傳統的非晶矽(a-Si)技術,能夠提供更寬的視角、更高的亮度和對比度。
新型半導體材料
IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide,銦鎵鋅氧化物)是一種新型半導體材料。
IGZO通常用作高性能薄膜電晶體(TFT)的溝道材料,具有高電子遷移率的特性,這使得器件能夠處理更多的信息,從而實現高解析度和低功耗的顯示面板。IGZO技術相比於傳統的非晶矽(a-Si)技術,能夠提供更寬的視角、更高的亮度和對比度。