NAND Flash是一種非易失性存儲設備，其存儲原理基於浮柵電晶體。以下是NAND Flash的相關介紹：
存儲單元。NAND Flash的存儲單元是三端器件，類似於場效應管，包括源極、漏極和柵極，其中柵極與矽襯底之間有二氧化矽絕緣層，用於保護浮置柵極中的電荷，這種結構使得存儲單元具有電荷保持能力，類似於瓶子中的水，直到再次充電或放電。
寫入和擦除原理。NAND Flash的寫操作（編程）和擦除操作基於隧道效應，即電流穿過浮置柵極與矽基層之間的絕緣層，對浮置柵極進行充電（寫數據）或放電（擦除數據）。具體來說，寫入新數據前必須先將原數據擦除，這是通過Fowler-Nordheim隧道效應實現的。
數據表示。在NAND Flash中，向浮置柵極中注入電荷表示寫入『0』，沒有注入電荷表示『1』。這意味著對Flash清除數據實際上是寫入『1』，這與硬碟存儲正好相反。
讀取原理。NAND Flash的讀取操作通過測量閾值電壓來實現，這與常規MOSFET類似。閾值電壓取決於存儲在浮置柵極中的電荷量，通過將閾值電壓與固定電壓電平進行比較來識別存儲的信息。
此外，NAND Flash的使用壽命有限，因為每次讀寫擦除都會對器件造成損耗。為了提高容量並降低成本，NAND Flash從單層單元（SLC）發展到多層單元（MLC、TLC、QLC），不過相應的擦寫次數遞減。