rtp製程

RTP是一種半導體製造過程中的技術，全稱為Rapid Thermal Processing。它主要用於在短時間內將晶圓加熱到高溫（600℃至1200℃），以改變或最佳化薄膜的性質和製程結果。RTP的過程非常快速，可以在10至20秒內將晶圓溫度升至1000℃。這種技術通常用於回火製程（annealing），以控制組件內摻質原子的均勻度。此外，RTP還可以用於矽化金屬，以及通過高溫產生含矽化的化合物，如矽化鈦。最新的發展包括使用快速高溫製程設備在晶極重要區域上精確地沉積氧及氮薄膜。