SRAM（Static Random-Access Memory，靜態隨機存取存儲器）的工作原理主要基於其存儲單元的特殊設計。每個SRAM存儲單元通常由6個電晶體組成，可以分為以下兩部分：
交叉耦合的反相器。由4個電晶體（M1、M2、M3、M4）構成，這些反相器相互連線，使得一個反相器的輸出連線到另一個的反相器輸入，形成一個鎖存器結構。這種結構允許存儲單元穩定地保持數據（0或1），直到被明確地改變。
讀寫電晶體。另外兩個電晶體（M5、M6）作為讀寫操作時的開關。當字線（Word Line）被激活時，這些開關打開，允許存儲在交叉耦合反相器中的數據通過位線（Bit Line）進行讀寫操作。
讀寫操作原理：
讀取操作。在讀取時，通過激活相應的字線，打開M5和M6電晶體，允許位線（Bit Line）與存儲單元相連。此時，存儲在交叉耦合反相器中的數據狀態（高或低）會被讀出到位線，然後通過感測放大器放大並處理。
寫入操作。寫入時，同樣通過字線激活M5和M6電晶體，然後通過位線向存儲單元寫入新的數據狀態（0或1）。
特點：
靜態性：由於內部結構複雜，需要更多電晶體來保存數據，因此功耗相對較高。
速度：由於其內部結構簡單，訪問速度快，適合需要快速讀寫操作的場景。
易失性：一旦斷電，數據就會丟失，適合用於臨時數據存儲。
通過上述原理，SRAM能夠在不進行周期性刷新的情況下保持數據的穩定性，使其成為快速、高效的記憶體解決方案。