碳化矽晶片的製程主要包括以下步驟：
注入掩膜。首先清洗晶圓，然後澱積一層氧化矽薄膜。通過勻膠、曝光、顯影等工藝步驟形成光刻膠圖形。最後，通過刻蝕工藝將圖形轉移到刻蝕掩膜上。
離子注入。將做好掩膜的晶圓放入離子注入機，注入高能離子。之後移除掩膜，進行退火以激活注入離子。
製作柵極。在晶圓上依次生長層、柵電極層，形成門級控制結構。
製作鈍化層。澱積一層絕緣特性良好的電介質層，防止電極間擊穿。
製作漏源電極。在鈍化層上開孔，並濺射金屬形成漏源電極。當漏源電極和柵源電極之間加正壓時，溝道開啟，電子從源極流向漏極，產生從漏極流向源極的電流。至此，一個基本的功率器件即元胞就製作完成了。成千上萬的元胞組成晶片，再集成到晶圓襯底。
以上步驟大致概述了碳化矽晶片的製造過程，包括從準備原材料到完成晶片的基本結構。